氮化铝的化学式为AlN。它是一种具有六方纤锌矿晶体构造的共价键合无机化合物。它的密度为 3.3 g/cm 3，摩尔质地为 40.99 g/mol。

　　·与大大批陶瓷比拟，氮化铝具有尽头高的 导热性。真相上，AlN 是全豹陶瓷中导热率最高的原料之一，仅次于氧化铍。关于单晶AlN，这个值可能高达285 W/(m·K)。然而，关于众晶原料，70–210 W/(m·K) 限度内的值更常睹。

　　·氮化铝的高导热性是因为其低摩尔质地（40.99 g/mol，而氧化铝 Al2O3 为 101.96 g/mol）、强键合和相对简陋的晶体构造。下面将氮化铝的更众特色与其他好似的手艺陶瓷举行对照。

　　· 与正在高温下运用联系的氮化铝的其他特色是高耐热冲锋性和耐高温下熔融金属、化学品和等离子体的侵蚀。

　　与其他陶瓷好似，AlN 具有尽头高的电阻率，限度为 10-16 Ω·m。这使其成为电绝缘体。

　　AlN还具有相对较高的介电常数，为8.8-8.9（纯AlN），与Al 2 O 3的介电常数邻近，但远低于SiC。

　　与 200 GPa 限度内的钢比拟，它具有 343 GPa 的高杨氏模量。该值仅低于Al 2 O 3的值。

　　半导体创制经过中存正在的高温与创制中器件的敏锐性相团结，使氮化铝极端适适用作衬底原料。其高导热性使其可以充任精彩的散热器，同时维持电绝缘而且正在高温下不会离散。别的，它的热膨胀系数与硅尽头形似。

　　正在好似行使中，AlN 是氧化铍的常睹代替品，由于它正在加工时不会损害矫健。

　　正在薄膜形势下，AlN 有很众行使。因为其压电特色，它被用于皮相声波 (SAW) 传感器。它还用于薄膜条形声波谐振器 (FBAR)，这是一种用于手机射频滤波器的微机电体例 (MEMS) 器件。还正在咨询开辟基于氮化镓铝的发光二极管。

本文由:亚新体育 提供